উচ্চ-ভোল্টেজ বা রেডক্স-সক্রিয় পরিবেশে বিচ্ছিন্ন ইমিডাজল আয়নিক তরলগুলির বৈদ্যুতিন রাসায়নিক স্থিতিশীলতার পিছনে কী কী পদ্ধতিগুলি কী?

এর বৈদ্যুতিন রাসায়নিক স্থিতিশীলতা বিচ্ছিন্ন ইমিডাজল আয়নিক তরল উচ্চ-ভোল্টেজ বা রেডক্স-অ্যাক্টিভ পরিবেশে তাদের আণবিক কাঠামো এবং বৈদ্যুতিন কনফিগারেশনে মূলযুক্ত বেশ কয়েকটি আন্তঃসম্পর্কিত প্রক্রিয়া দ্বারা প্রভাবিত হয়:

ইমিডাজল রিংয়ে ইলেক্ট্রন ডেলোক্যালাইজেশন: ইমিডাজল রিংয়ের সুগন্ধযুক্ত প্রকৃতি π- বৈদ্যুতিনগুলির উল্লেখযোগ্য ডেলোক্যালাইজেশনের অনুমতি দেয়, যা অণুর প্রতিরোধকে অক্সিডেটিভ বা হ্রাসকারী অবক্ষয়ের প্রতিরোধকে বাড়িয়ে তোলে। যখন 1- এবং 3-অবস্থান উভয়ই প্রতিস্থাপন করা হয়, তখন বৈদ্যুতিন ঘনত্বকে এমনভাবে পুনরায় বিতরণ করা যেতে পারে যা বৈদ্যুতিন স্থানান্তর প্রতিক্রিয়ার বিরুদ্ধে কেশনকে স্থিতিশীল করে।

বিকল্প প্রভাব: ইমিডাজল রিংয়ে বিকল্পগুলির ধরণ এবং অবস্থান বৈদ্যুতিন রাসায়নিক স্থিতিশীলতা উল্লেখযোগ্যভাবে প্রভাবিত করে। বৈদ্যুতিন-দানকারী গোষ্ঠীগুলি নিউক্লিওফিলিটিকে বাড়িয়ে তুলতে পারে এবং অক্সিডেটিভ স্থিতিশীলতা হ্রাস করতে পারে, যখন বৈদ্যুতিন-প্রত্যাহারকারী গোষ্ঠীগুলি (যেমন হ্যালোজেন বা নাইট্রাইলস) সর্বোচ্চ দখলকৃত আণবিক কক্ষপথ (হোমো) স্থিতিশীল করে অক্সিডেটিভ প্রতিরোধের উন্নতি করতে পারে। বিপরীতে, এই গোষ্ঠীগুলি পরিবেশের উপর নির্ভর করে সর্বনিম্ন অবরুদ্ধ আণবিক কক্ষপথ (লুমো) স্থিতিশীল করে হ্রাসের সম্ভাবনাও হ্রাস করতে পারে।

স্টেরিক বাধা এবং স্থানিক ield ালিং: 1- এবং 3-পজিশনে ভারী বিকল্পগুলি নিউক্লিওফিলিক বা ইলেক্ট্রোফিলিক আক্রমণ থেকে ইমিডাজোলিয়াম রিংটিকে শারীরিকভাবে রক্ষা করতে পারে, উচ্চ-ভোল্টেজ অবস্থার অধীনে ঘটতে পারে এমন অযাচিত পার্শ্ব প্রতিক্রিয়াগুলি সীমাবদ্ধ করে।

অ্যানিয়ন-কেশন জুটির স্থায়িত্ব: স্থিতিশীল, অ-সমন্বয়কারী আয়ন (উদাঃ, বিআইএস (ট্রাইফ্লোরোমেথাইলসালফোনিল) ইমিড [টিএফএসআইই] বা টেট্রাফ্লুওরোবারেট [বিএফ ₄⁻]) এর সাথে রিসিপিটের ট্রাইব্লিউজ এবং প্রিপিটরিয়ুলেশনকে হ্রাস করে এবং এর সাথে প্রিপিটরিয়ম ও প্রিপিটরিয়েন্সের মাধ্যমে হ্রাস করে। এই অ্যানিয়নগুলি রেডক্স প্রতিক্রিয়াগুলিতে হস্তক্ষেপ না করে পচন এবং আয়নিক পরিবাহিতা বজায় রাখে।

আয়ন গতিশীলতা এবং আন্তঃফেসিয়াল আচরণ: উচ্চ-ভোল্টেজ সিস্টেমগুলিতে, বিশেষত বৈদ্যুতিন রাসায়নিক ডিভাইসগুলিতে, আয়নগুলির গতিশীলতা এবং তাদের সংস্থার বৈদ্যুতিন ইন্টারফেসে স্থায়িত্বকে প্রভাবিত করে। বিচ্ছিন্ন ইমিডাজল আয়নিক তরলগুলি সুসংগঠিত আন্তঃফেসিয়াল স্তরগুলি তৈরি করতে পারে যা বৈদ্যুতিন এবং আয়নিক প্রজাতির মধ্যে সরাসরি বৈদ্যুতিন স্থানান্তর রোধ করে, তাদের বৈদ্যুতিন রাসায়নিক উইন্ডো বাড়িয়ে তোলে।

তাপীয় স্থায়িত্ব এবং পচন পথগুলি: বিচ্ছিন্ন ইমিডাজল কাঠামোর অভ্যন্তরীণ তাপীয় স্থায়িত্ব বৈদ্যুতিন রাসায়নিক চাপের অধীনে তাপীয় পচে যাওয়ার ঝুঁকি হ্রাস করে, যা প্রায়শই ভোল্টেজ-প্ররোচিত অবক্ষয়ের সাথে থাকে